一類半導體檢測工藝目的：主要是對工藝過程中半導體體內(nèi)、表面和附加其上的介質(zhì)膜、金屬膜、多晶硅等結(jié)構(gòu)的特性進行物理、化學和電學等性質(zhì)的測定。其中許多檢測方法是半導體工藝所特有的。

二類半導體檢測工藝目的：主要是對半導體工藝的條件與環(huán)境進行廣泛、及時和有效的監(jiān)控，因而其內(nèi)容更加廣泛繁雜。有些檢測項目和方法也非半導體工藝所特有。隨著半導體工藝的不斷發(fā)展，半導體工業(yè)的原材料和輔助材料的生產(chǎn)和供應、工藝設備和生產(chǎn)環(huán)境的管理等，更加趨向于專業(yè)化和標準化。其檢測方法更加緊密結(jié)合半導體工藝的要求。

半導體檢測工藝的目的不只是搜集數(shù)據(jù)，更重要的是要把不斷產(chǎn)生的大量檢測數(shù)據(jù)及時整理分析，不斷發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)過程中存在的問題，向工藝控制反饋，使之不致偏離正常的控制條件。因而對大量檢測數(shù)據(jù)的科學管理，保障其能夠得到準確和及時的處理。