在找半導體集成電路檢測機構？百檢網為您提供半導體集成電路檢測服務，專業工程師對接確認項目、標準后制定方案，包括半導體集成電路檢測周期、報價、樣品等，確認無誤后安排寄樣檢測，半導體集成電路檢測常規周期3-15個工作日，歡迎咨詢。

檢測樣品：紡織品、化妝品、食品、農產品、絕緣工具、五金件等

報告資質：CNAS/CMA/CAL

報告周期：常規3-15個工作日，特殊樣品、檢測項目除外。

檢測費用：根據檢測項目收費，詳情請咨詢百檢網。

半導體集成電路檢測項目：

老煉,X射線照相,內部目檢和結構檢查,內部目檢,反偏老煉,外形尺寸,外部目檢,密封 粗檢漏,密封 細檢漏,恒定加速度,溫度循環,粒子碰撞噪聲檢測,耐溶劑性,芯片剪切強度,超聲檢查,鍵合強度,高溫貯存,SEM檢查,沖 擊,變頻振動,可焊性,外引線彎曲,外引線拉力,引線牢固性,掃頻振動,振動,機械沖擊,熱沖擊,鹽霧,碰 撞,穩定性烘焙,粗檢漏,細檢漏,老煉試驗,耐濕,芯片剪切力強度,非破壞鍵合拉力試驗,顆粒碰撞試驗,高溫存貯,粒子碰撞噪聲,老練,反偏老練,密封 細檢,密封 粗檢,ESDS,內部水汽含量,引線涂覆粘附強度,封蓋扭矩,功能驗證（三溫）,靜態特性測試,動態參數測試,尺寸,溫度快速變化,強加速濕熱,電測試,電耐久性,環境溫度下電特性,最高和最低工作溫度下電特性,引出端強度,穩態濕熱,穩態加速度,標志耐久性,高溫穩定,密封,老練前電測試,老練后電測試,芯片剪切或拉力,高壓蒸煮,耐焊接熱,強加速穩態濕熱(HAST),預處理,易燃性,X射線檢查,內部檢查,外部檢查,密封性試驗（檢漏）,掃描電子顯微鏡分析,粒子碰撞噪聲檢測試驗,粒子碰撞噪聲檢測（PIND）,鍵合強度測試,元素分析,長度,厚度,封裝結到外殼熱阻,非功能測試 （補充電測試）,內部目檢（單片）,動態電源電流Ia,熱性能檢測,穩態壽命,輸入低電平電流IIL,輸入鉗位電壓VIK,輸入高電平電流IIH,輸出低電平電壓VOL,輸出低電平電流IOL

百檢檢測流程：

1、電話溝通、確認需求;

2、推薦方案、確認報價;

3、郵寄樣品、安排檢測;

4、進度跟蹤、結果反饋;

5、出具報告、售后服務;

6、如需加急、優先處理;

半導體集成電路檢測標準：

1、GB/T 12750-2006, IEC 60748-11:1990 半導體器件 集成電路 第11部分:半導體集成電路分規范(不包括混合電路) 表4 C組 C3

2、JESD51-14 一維傳熱路徑下半導體器件結殼熱阻瞬態雙界面測試法

3、GB/T 20307-2006 納米級長度的掃描電鏡測量方法通則

4、GB/T 31563-2015 金屬覆蓋層厚度測量掃描電鏡法

5、GJB 3233-98 半導體集成電路失效分析程序和方法 5.2.4

6、QZJ840615 《電子元器件“七專”技術條件》 /方法3.7.5

7、GB/T 26533-2011 俄歇電子能譜分析方法通則

8、SJ/T 10457-93 俄歇電子能譜術深度剖析標準導則

9、GJB7400-2011 合格制造廠認證用半導體集成電路通用規范 表1B、表2

10、GB/T 16594-2008 微米級長度的掃描電鏡測量方法通則

11、　 GJB3233-1998 　 半導體集成電路失效分析程序和方法 GJB3233-1998 5.2.4

12、SJ/T 10458-93 俄歇電子能譜和X射線光電子能譜術的樣品處理標準導則

13、GJB 548B-2005 《微電子器件試驗方法和程序》 /方法 2018.1

14、GJB548B-2005 微電子器件試驗方法和程序 方法1015

15、JESD51-1 集成電路的熱測試方法-電學測試方法（適用于單片半導體器件）

16、SJ/T10741-2000 半導體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理

17、GJB597B-2012 半導體集成電路總規范 附錄B 表B.1

18、GB/T 14862-1993 半導體集成電路封裝結到外殼熱阻測試方法

19、　 GJB3233-1998 　 半導體集成電路失效分析程序和方法 GJB3233-1998 5.2.8

一份檢測報告有什么用?

產品檢測報告主要反映了產品各項指標是否達到標準中的合格要求，能夠為企業產品研發、投標、電商平臺上架、商超入駐、學校科研提供客觀的參考。

百檢第三方機構檢測服務包括食品、環境、醫療、建材、電子、化工、汽車、家居、母嬰、玩具、箱包、水質、化妝品、紡織品、日化品、農產品等多項領域檢測服務，歡迎咨詢。