在找半導體設備保護用熔斷體檢測機構？百檢網為您提供半導體設備保護用熔斷體檢測服務，專業工程師對接確認項目、標準后制定方案，包括半導體設備保護用熔斷體檢測周期、報價、樣品等，確認無誤后安排寄樣檢測，半導體設備保護用熔斷體檢測常規周期3-15個工作日，歡迎咨詢。

檢測樣品：紡織品、化妝品、食品、農產品、絕緣工具、五金件等

報告資質：CNAS/CMA/CAL

報告周期：常規3-15個工作日，特殊樣品、檢測項目除外。

檢測費用：根據檢測項目收費，詳情請咨詢百檢網。

半導體設備保護用熔斷體檢測項目：

,分斷能力驗證,溫升和耗散功率,約定不熔斷電流,約定熔斷電流,過載能力驗證,額定電流驗證,標志,尺寸,電阻,熔斷器支持件的布置,絕緣性能驗證,隔離適用性驗證,溫升與耗散功率,約定不熔斷電流與約定熔斷電流驗證,熔斷體的額定電流驗證,時間-電流特性和門限驗證,過載,約定電纜過載保護,指示裝置和撞擊器動作,截斷電流特性驗證,I²t特性和過電流選擇性驗證,外殼防護等級驗證,耐熱性驗證,觸頭不變壞驗證,機械強度,耐應力腐蝕龜裂驗證,耐非正常的熱和火驗證,耐銹性驗證,耐非正常熱和火,耐應力腐蝕龜裂,I2t特性和過電流選擇性驗證,機械強度試驗,動作驗證,溫升與耗散功率驗證,絕緣性能和隔離適用性驗證,耐銹性,I²t特性和過電流選擇性驗證,完整試驗（電阻）,撞擊器的動作,熔斷器的尺寸,約定電纜過載試驗,過載能力的驗證,額定電流的驗證,No.12 分斷能力和動作特性,No.13 “gR”和“gS”分斷能力和動作特性,No.11 分斷能力和動作特性,N0.6動作特性試驗,No.12a “aR”分斷能力和動作特性,No.10 動作特性試驗,No.1 分斷能力,No.2a “aR”分斷能力,N0.7動作特性試驗,N0.8動作特性試驗,No.2 分斷能力,N0.9 動作特性試驗,No.5 “gR”和“gS”分斷能力,“gG”,“gM”，“gD”，和“gN”熔斷體弧前I2t值和降低電壓下的熔斷I2t值的計算,短路功率因數的測量,截斷電流-時間特性的計算,具有連接外部銅導線的無螺紋型接線端子的熔斷器底座的特殊要求,截斷電流特性,動作,耐熱性,機械設計,額定電流,觸頭不變壞,熔斷體的過電流選擇性,溫升、耗散功率,I 2t特性和過電流選擇性驗證,絕緣性能和隔離適用性,峰值耐受電流,防電擊保護,機械選擇性試驗,總則,防護等級,電磁兼容性,門限,No2a “aR”分斷能力,No.21 分斷能力和動作特性,半導體設備保護用熔斷體,時間-電流特性,約定電纜過載保護試驗,指示器裝置和撞擊器的動作

百檢檢測流程：

1、電話溝通、確認需求;

2、推薦方案、確認報價;

3、郵寄樣品、安排檢測;

4、進度跟蹤、結果反饋;

5、出具報告、售后服務;

6、如需加急、優先處理;

半導體設備保護用熔斷體檢測標準：

1、GB/T 13539.4-2016/IEC 60269-4(Ed 5.0):2012 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 /8.7/8.7

2、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 8.5

3、GB/T 13539.4-2016 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016

4、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2006 低壓熔斷器 第4部分:半導體設備保護用熔斷體的補充要求 GB/T13539.4-2016 IEC 60269-4:2006(ed4.0) IEC 60269-4:2009(ed5.0) EN 60269-4:2009 IEC 60269-4:2012(ed5.1) IEC 60269-4 AMD 2-2016 EN 60269-4-2012 EN 60269-4:2009+A2:2016

5、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求

6、GB/T 13539.4-2016 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求

7、GB/T13539.4-2016IEC60269-4:2006(ed4.0)IEC60269-4:2009(ed5.0)EN60269-4:2009IEC60269-4:2012(ed5.1)IEC60269-4AMD2:2016EN60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求

8、GB/T 13539.1-2015IEC 60269-1, 4.0)IEC 60269-1, 4.1)IEC 60269-1, 2014EN 60269-1-2014, GB/T13539.4-2016IEC 60269-4, 4.0)IEC 60269-4, 5.0)EN 60269-4, 2009IEC 60269-4, 5.1)IEC 60269-4 AMD 2-2016EN 60269-4-2012 低壓熔斷器第1部分：基本要求GB/T 13539.1-2015IEC 60269-1:2006(ed4.0)IEC 60269-1:2009(ed4.1)IEC 60269-1:2014EN 60269-1-2014低壓熔斷器 第4部分:半導體設備保護用熔斷體的補充要求GB/T13539.4-2016IEC 60269-4:2006(ed4.0)IEC 60269-4:2009(ed5.0)EN 60269-4:2009IEC 60269-4:2012(ed5.1)IEC 60269-4 AMD 2-2016EN 60269-4-2012

9、GB/T13539.4-2016 IEC 60269-4:2006(ed4.0) IEC 60269-4:2009(ed5.0) EN 60269-4:2009 IEC 60269-4:2012(ed5.1) IEC 60269-4 AMD 2-2016 EN 60269-4-2012 低壓熔斷器 第4部分:半導體設備保護用熔斷體的補充要求

10、GB/T13539.1-2015IEC60269-1:2006(ed4.0)IEC60269-1:2009(ed4.1)IEC60269-1:2014EN60269-1-2014 低壓熔斷器 第1部分：基本要求低。壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求

11、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012

12、GB/T 13539.4-2016/IEC 60269-4 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016/IEC 60269-4(Ed 5.0):2012

13、GB/T13539.4-2016IEC60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求

14、GB/T 13539.4-2016IEC 60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分: 半導體設備保護用熔斷體的補充要求

15、GB/T13539.4-2016IEC60269-4:2006EN60269-4:2009EN60269-4:2012IEC60269-4:2012(ed5.1)IEC60269-4:2009/AMD2:2016 低壓熔斷器 第4部分:半導體設備保護用熔斷體的補充要求

16、GB/T13539.1-2015IEC60269-1:2006(ed4.0)IEC60269-1:2009(ed4.1)IEC60269-1:2014EN60269-1:2014 低壓熔斷器 第1部分：基本要求低。壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求

17、IEC 60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求

18、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2009+A1:2012+A2:2016 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2009+A1:2012+A2:2016

19、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求

一份檢測報告有什么用?

產品檢測報告主要反映了產品各項指標是否達到標準中的合格要求，能夠為企業產品研發、投標、電商平臺上架、商超入駐、學?？蒲刑峁┛陀^的參考。

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