半導(dǎo)體用于集成電路，消費(fèi)電子，通信系統(tǒng)，光伏發(fā)電，照明應(yīng)用，大功率功率轉(zhuǎn)換和其他領(lǐng)域。半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。但半導(dǎo)體有個(gè)特性是導(dǎo)體和絕緣體所沒有的，那就是可以做成兩種不同特性的基片，再把這兩種基片結(jié)合到一起就可體現(xiàn)絕緣和導(dǎo)體交替的特性，如二*管反向絕緣，正向?qū)щ姡?管通過一個(gè)控制端可讓其導(dǎo)電就導(dǎo)電，讓其絕緣就絕緣。

　　半導(dǎo)體的作用是可以通過改變其局部的雜質(zhì)濃度來形成一些器件結(jié)構(gòu)，這些器件結(jié)構(gòu)對電路具有一定控制作用，比如二*管的單向?qū)щ姡热缇w管的放大作用。

　　半導(dǎo)體分類和性能

　　（1）元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指由單個(gè)元素組成的半導(dǎo)體，其中硅和硒的研究相對較早。它是一種具有相同元素半導(dǎo)體特性的固體材料，容易受到痕量雜質(zhì)和外部條件引起的變化的影響。目前，只有硅和鍺具有良好的性能并被廣泛使用。硒用于電子照明和光電領(lǐng)域。硅被廣泛用于半導(dǎo)體工業(yè)中，主要受二氧化硅的影響，可以在器件生產(chǎn)中形成掩模，可以提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性，有利于自動(dòng)化工業(yè)生產(chǎn)。

　　（2）無機(jī)復(fù)合半導(dǎo)體。無機(jī)復(fù)合材料主要由單個(gè)元素作為半導(dǎo)體材料組成。當(dāng)然，也存在由多種元素組成的半導(dǎo)體材料。主要的半導(dǎo)體特性是I組和V，VI和VII組。第II組和第IV，V，VI和VII組；III組和V，VI；IV和IV，VI；V和VI;VI和VI組合的化合物，但受元素特性和生產(chǎn)方法的影響，并非所有化合物都能滿足半導(dǎo)體材料的要求。該半導(dǎo)體主要用于高速設(shè)備。InP制造的晶體管比其他材料快，并且主要用于光電集成電路和抗核輻射設(shè)備。對于具有高導(dǎo)電率的材料，它們主要用于LED和其他方面。

　　（3）有機(jī)化合物半導(dǎo)體。有機(jī)化合物是指分子中含有碳鍵的化合物。有機(jī)化合物和碳鍵彼此垂直以形成導(dǎo)帶。通過化學(xué)加成，它可以進(jìn)入能帶，從而產(chǎn)生電導(dǎo)率并形成有機(jī)化合物半導(dǎo)體。與以前的半導(dǎo)體相比，該半導(dǎo)體具有低成本，良好的溶解性和易于加工輕質(zhì)材料的特征。電導(dǎo)率可以通過控制分子來控制，具有廣泛的應(yīng)用范圍，主要用于有機(jī)薄膜，有機(jī)照明等。

　　（4）非晶半導(dǎo)體。它也被稱為非晶半導(dǎo)體或玻璃半導(dǎo)體，屬于一類半導(dǎo)體材料。像其他非晶材料一樣，非晶半導(dǎo)體具有短程有序和長程無序結(jié)構(gòu)。它主要通過改變原子的相對位置并改變原始的周期性排列來形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要與原子排列是否具有長序不同。難以控制非晶半導(dǎo)體的性能。隨著技術(shù)的發(fā)明，非晶半導(dǎo)體開始被使用。該生產(chǎn)工藝簡單，主要用于工程領(lǐng)域，對光的吸收效果好，主要用于太陽能電池和液晶顯示器。

　　（5）本征半導(dǎo)體。沒有雜質(zhì)和晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在*低的溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶已滿。在熱激發(fā)之后，價(jià)帶中的一些電子將穿過禁帶并以更高的能量進(jìn)入空帶。空帶中的電子成為導(dǎo)帶。沒有電子會(huì)形成帶正電荷的空位，稱為空穴。空穴傳導(dǎo)不是實(shí)際的運(yùn)動(dòng)，而是等效的運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子導(dǎo)電時(shí)，電荷相等的空穴將沿相反的方向移動(dòng)。它們在外部電場的作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)，以形成宏觀電流，分別稱為電子傳導(dǎo)和空穴傳導(dǎo)。

　　通過電子-空穴對的生成而形成的這種混合電導(dǎo)率稱為本征電導(dǎo)率。導(dǎo)帶中的電子落入空穴，并且電子-空穴對消失，這稱為復(fù)合。重組期間釋放的能量變?yōu)殡姶泡椛洌òl(fā)光）或晶格熱振動(dòng)能量（加熱）。在一定溫度下，電子-空穴對的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。此時(shí)，半導(dǎo)體具有一定的載流子密度并因此具有一定的電阻率。當(dāng)溫度升高時(shí)，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對，載流子密度將增加，并且電阻率將降低。沒有晶格缺陷的純半導(dǎo)體的電阻率相對較大。